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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-3-2
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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IPB80N06S205ATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IPB80N06S205ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：OptiMOS?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 80A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5110pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PG-TO263-3-2
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