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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO252-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
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IPD65R600E6ATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IPD65R600E6ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：CoolMOS? E6
- 零件状态：不適用於新設計
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.3A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 2.1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 210μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：440pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：63W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PG-TO252-3
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