- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
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IPG15N06S3L-45 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IPG15N06S3L-45
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:OptiMOS?
- 零件状态:停产
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):55V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):15A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 10A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 10μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1420pF @ 25V
- 功率-最大值:21W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerVDFN
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