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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：场效应管阵列，PG-TDSON-8-4
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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IPG20N06S2L-35 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPG20N06S2L-35
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- 系列：OptiMOS?
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V
- 功率 - 最大值：65W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
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