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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
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IPG20N06S2L65AATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IPG20N06S2L65AATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：410pF @ 25V
- 功率-最大值：43W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
- 封装：8-PowerVDFN
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