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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:单端场效应管,PG-TO262-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
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IPI075N15N3 G 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:IPI075N15N3 G
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
- 系列:OptiMOS?
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):150V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 100A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):93nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5470pF @ 75V
- 功率 - 最大值:300W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:PG-TO262-3
- IPI075N15N3 G优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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