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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
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IPP60R299CP 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPP60R299CP
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 系列：CoolMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：299 毫欧 @ 6.6A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 100V
- 功率 - 最大值：96W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220-3
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