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Infineon
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  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:单端场效应管,TO-220-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
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IPP60R299CP 技术参数详情:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPP60R299CP
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):299 毫欧 @ 6.6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:96W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
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