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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SO
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
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IRF1902TRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF1902TRPBF
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：HEXFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 4A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SO
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