- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SO
- 技术参数:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
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IRF5803D2PBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRF5803D2PBF
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:FETKY?
- 零件状态:停产
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3.4A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):112 毫欧 @ 3.4A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):37nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1110pF @ 25V
- FET功能:肖特基二极管(隔离式)
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-SO
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