IRF7379TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRF7379TR
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:HEXFET?
- 零件状态:停产
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):5.8A,4.3A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 5.8A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):520pF @ 25V
- 功率-最大值:2.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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