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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
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IRFH5301TR2PBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRFH5301TR2PBF
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 50A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：77nC @ 10V
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5114pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
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