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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：18-PowerVQFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
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IRFH7911TRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRFH7911TRPBF
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：HEXFET?
- 零件状态：不適用於新設計
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A，28A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.6 毫欧 @ 12A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1060pF @ 15V
- 功率-最大值：2.4W，3.4W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：18-PowerVQFN
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