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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单路IGBT，PG-TO263-3
- 技术参数：IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
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SGB02N120 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：SGB02N120
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6.2A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：9.6A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.6V @ 15V，2A
- 功率 - 最大值：62W
- Switching Energy：220μJ
- 输入类型：标准
- Gate Charge：11nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：23ns/260ns
- Test Condition：800V, 2A, 91 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：PG-TO263-3
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