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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单二极管整流器，带箔切割晶片
- 技术参数：DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
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SIDC03D120H6 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：SIDC03D120H6
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
- 系列：-
- 二极管类型：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V（1.2kV）
- 电流 - 平均整流 (Io)：3A（DC）
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.6V @ 3A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：27μA @ 1200V
- 不同 Vr、F 时的电容：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：晶片
- 供应商器件封装：带箔切割晶片
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
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