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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:单二极管整流器,带箔切割晶片
- 技术参数:DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
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SIDC09D60E6 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:SIDC09D60E6
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- 系列:-
- 二极管类型:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V
- 电流 - 平均整流 (Io):20A(DC)
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.7V @ 20A
- 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):150ns
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:27μA @ 600V
- 不同 Vr、F 时的电容:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:晶片
- 供应商器件封装:带箔切割晶片
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
- SIDC09D60E6优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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