- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:单二极管整流器,带箔切割晶片
- 技术参数:DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
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SIDC56D120F6 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:SIDC56D120F6
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
- 系列:-
- 二极管类型:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200V(1.2kV)
- 电流 - 平均整流 (Io):75A(DC)
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):2.1V @ 75A
- 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:27μA @ 1200V
- 不同 Vr、F 时的电容:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:晶片
- 供应商器件封装:带箔切割晶片
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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