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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-SOT23-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
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SN7002N H6327 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：SN7002N H6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列：SIPMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 26μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：45pF @ 25V
- 功率 - 最大值：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：PG-SOT23-3
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