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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:单端场效应管,PG-TO247-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
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SPW15N60CFD 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:SPW15N60CFD
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
- 系列:CoolMOS?
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13.4A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):330 毫欧 @ 9.4A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 750μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1820pF @ 25V
- 功率 - 最大值:156W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:PG-TO247-3
- SPW15N60CFD优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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