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- 制造厂商：Littelfuse（力特半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247-3
- 技术参数：SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
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LSIC1MO120E0080 技术参数详情：
- 制造商产品型号：LSIC1MO120E0080
- 制造商：Littelfuse（力特半导体）
- 描述：SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：95nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+22V，-6V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1825pF @ 800V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：179W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247-3
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