产品参考图片
- 制造厂商：MPS
- 类别封装：FET - 阵列，8-DIP
- 技术参数：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
- 丰富的MPS公司产品，MPS芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
LN60A01EP-LF 技术参数详情：
- MPS美国芯源半导体完整型号: LN60A01EP-LF
- 制造厂家名称: Monolithic Power Systems Inc.
- 功能总体简述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
- 系列: -
- FET 类型: 3 N 沟道，共栅
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 600V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 190 欧姆 @ 10mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -
- 功率 - 最大值: 1.3W
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: 8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装: 8-PDIP
- LN60A01EP-LF优势代理货源，国内领先的MPS芯片采购服务平台。
