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- 制造厂商：Microchip（微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 900V 72A 417W TO247
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APT25GP90BDQ1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APT25GP90BDQ1G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：IGBT 900V 72A 417W TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：POWER MOS 7?
- 零件状态：不適用於新設計
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：900V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：72A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：110A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，25A
- 功率-最大值：417W
- 开关能量：370μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：110nC
- 25°C时Td（开/关）值：13ns/55ns
- 测试条件：600V，40A，4.3 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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