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- 制造厂商：Microchip（微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 技术参数：IGBT PT COMBI 600V 36A TO-268
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APT36GA60SD15 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APT36GA60SD15
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：IGBT PT COMBI 600V 36A TO-268
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：POWER MOS 8?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：65A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：109A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A
- 功率-最大值：290W
- 开关能量：307μJ（开），254μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：102nC
- 25°C时Td（开/关）值：16ns/122ns
- 测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：19ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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