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- 制造厂商：Microchip（微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SP3
- 技术参数：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
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APTGT35H120T3G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTGT35H120T3G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 配置：全桥反相器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
- 功率-最大值：208W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，35A
- 电流-集电极截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：2.5nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SP3
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