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- 制造厂商：Microchip（微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-VDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
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DN2625DK6-G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DN2625DK6-G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：耗尽模式
- 漏源电压（Vdss）：250V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1A，0V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.04nC @ 1.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 25V
- 功率-最大值：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-VDFN
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