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- 制造厂商：Microchip（微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
- 技术参数：PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
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MSCSM120AM042CT6LIAG 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MSCSM120AM042CT6LIAG
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（相角）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：495A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 240A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 6mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1392nC @ 20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：18100pF @ 1kV
- 功率-最大值：2.031kW（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
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