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- 制造厂商：美光
- 类别封装：存储器，产品封装：60-TFBGA
- 技术参数：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H512M4EB-187E:C 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MT47H512M4EB-187E:C
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：托盘
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：易失
- 存储器格式：DRAM
- 技术：SDRAM - DDR2
- 存储容量：2Gb（512M x 4）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：533MHz
- 写周期时间-字，页：15ns
- 访问时间：350ps
- 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：60-TFBGA
- MT47H512M4EB-187E:C优势代理货源，国内领先的美光芯片采购服务平台。
