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- 制造厂商：美光
- 类别封装：存储器，产品封装：432-VFBGA
- 技术参数：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
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MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：易失
- 存储器格式：DRAM
- 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量：32Gb（512M x 64）
- 存储器接口：-
- 时钟频率：2133MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：1.1V
- 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：432-VFBGA
- MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR优势代理货源，国内领先的美光芯片采购服务平台。
