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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:二极管TVS,P600
- 技术参数:TVS DIODE 33VWM R6
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15KPA33E3/TR13 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:15KPA33E3/TR13
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:TVS DIODE 33VWM R6
- 系列:-
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向关态(典型值):33V
- 电压 - 击穿(最小值):34.79V
- 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):-
- 功率 - 峰值脉冲:15000W (15kW)
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时的电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:P600,轴向
- 供应商器件封装:P600
- 15KPA33E3/TR13优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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