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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单二极管整流器，DO-35
- 技术参数：DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
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1N484B 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：1N484B
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
- 系列：-
- 二极管类型：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：125V
- 电流 - 平均整流 (Io)：200mA
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1V @ 100mA
- 速度：小信号 =
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：25nA @ 125V
- 不同 Vr、F 时的电容：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：DO-35
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 200°C
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