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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：二极管 - 齐纳 - 单，封装：DO-204AH，DO-35，轴向
- 技术参数：DIODE ZENER 30V 500MW DO35
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1N5256A (DO-35) 技术参数详情：
- 制造商产品型号：1N5256A (DO-35)
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 30V 500MW DO35
- 系列：二极管 - 齐纳 - 单
- 零件状态：有源
- 电压-齐纳（标称值）(Vz)：30V
- 容差：±10%
- 功率-最大值：500mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：49 Ohms
- 不同Vr时电流-反向泄漏：100nA @ 23V
- 不同If时电压-正向(Vf)：1.5V @ 200mA
- 工作温度：-65°C ~ 175°C
- 安装类型：通孔
- 封装：DO-204AH，DO-35，轴向
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