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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单二极管整流器，B
- 技术参数：DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
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1N5554US 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：1N5554US
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
- 系列：-
- 二极管类型：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1000V（1kV）
- 电流 - 平均整流 (Io)：3A
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 9A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：2μs
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：1μA @ 1000V
- 不同 Vr、F 时的电容：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SQ-MELF， B
- 供应商器件封装：B， SQ-MELF
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C
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