1N5620US 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:1N5620US
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
- 系列:-
- 二极管类型:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800V
- 电流 - 平均整流 (Io):1A
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.3V @ 3A
- 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):2μs
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 800V
- 不同 Vr、F 时的电容:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SQ-MELF, A
- 供应商器件封装:D-5A
- 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C
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