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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单齐纳二极管，DO-35
- 技术参数：DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
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1N5730B 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：1N5730B
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
- 系列：-
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：5.6V
- 容差：±5%
- 功率 - 最大值：500mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：25 欧姆
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：3μA @ 2V
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA
- 工作温度：-65°C ~ 175°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：DO-35
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