1N5812 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:1N5812
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
- 系列:-
- 二极管类型:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50V
- 电流 - 平均整流 (Io):20A
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):950mV @ 20A
- 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):15ns
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V
- 不同 Vr、F 时的电容:300pF @ 10V, 1MHz
- 安装类型:接线柱安装
- 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱
- 供应商器件封装:DO-203AA
- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
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