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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：二极管TVS，B
- 技术参数：TVS DIODE 13.7VWM SQMELF
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1N6112US 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：1N6112US
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：TVS DIODE 13.7VWM SQMELF
- 系列：-
- 类型：齐纳
- 单向通道：-
- 双向通道：1
- 电压 - 反向关态（典型值）：13.7V
- 电压 - 击穿（最小值）：16.25V
- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：26.36V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：18.91A
- 功率 - 峰值脉冲：500W
- 电源线路保护：无
- 应用：通用
- 不同频率时的电容：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SQ-MELF，B
- 供应商器件封装：B， SQ-MELF
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