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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单齐纳二极管，DO-216
- 技术参数：DIODE ZENER 9.1V 1W DO216
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1PMT4103C/TR7 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：1PMT4103C/TR7
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 9.1V 1W DO216
- 系列：POWERMITE
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：9.1V
- 容差：±2%
- 功率 - 最大值：1W
- 阻抗（最大值）(Zzt)：200 欧姆
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：1μA @ 6.92V
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.1V @ 200mA
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DO-216AA
- 供应商器件封装：DO-216
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