- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:单齐纳二极管,DO-216
- 技术参数:DIODE ZENER 100V 1W DO216
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1PMT4135/TR7 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:1PMT4135/TR7
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:DIODE ZENER 100V 1W DO216
- 系列:POWERMITE
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:1W
- 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 76V
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.1V @ 200mA
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DO-216AA
- 供应商器件封装:DO-216
- 1PMT4135/TR7优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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