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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单端场效应管，T-MAX
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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APT10035B2FLLG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT10035B2FLLG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
- 系列：POWER MOS 7
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：28A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：370 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：186nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5185pF @ 25V
- 功率 - 最大值：690W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 供应商器件封装：T-MAX [B2]
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