产品参考图片
- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单路IGBT，原厂封装
- 技术参数：IGBT 600V 229A 625W TMAX
- 丰富的美高森美公司产品，美高森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
APT100GN60B2G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT100GN60B2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：229A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.85V @ 15V，100A
- 功率 - 最大值：625W
- Switching Energy：4.7mJ （开）, 2.675mJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：600nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：31ns/310ns
- Test Condition：400V, 100A, 1 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：*
- APT100GN60B2G优势代理货源，国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Microsemi代理的现货资源，轻松采购IC芯片，是国内专业的芯片采购平台