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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 600V 41A 187W TO247
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APT11GP60BDQBG 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APT11GP60BDQBG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 41A 187W TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：POWER MOS 7?
- 零件状态：停产
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：41A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，11A
- 功率-最大值：187W
- 开关能量：46μJ（开），90μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：40nC
- 25°C时Td（开/关）值：7ns/29ns
- 测试条件：400V，11A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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