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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单端场效应管，TO-247
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
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APT18M100B 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT18M100B
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4845pF @ 25V
- 功率 - 最大值：625W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：TO-247 [B]
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