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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1200V 36A 200W TO247
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APT20GF120BRDQ1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APT20GF120BRDQ1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：NPT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：36A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：64A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，15A
- 功率-最大值：200W
- 开关能量：895μJ（开），840μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：100nC
- 25°C时Td（开/关）值：10ns/120ns
- 测试条件：800V，15A，4.3 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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