- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:单路IGBT,D3Pak
- 技术参数:IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
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APT25GR120SD15 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APT25GR120SD15
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
- 系列:-
- IGBT 类型:NPT
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A
- Current - Collector Pulsed (Icm):100A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.2V @ 15V,25A
- 功率 - 最大值:521W
- Switching Energy:742μJ (开), 427μJ (关)
- 输入类型:标准
- Gate Charge:203nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/122ns
- Test Condition:600V, 25A, 4.3 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:D3Pak
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