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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 技术参数：IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
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APT25GR120SSCD10 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APT25GR120SSCD10
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：NPT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，25A
- 功率-最大值：521W
- 开关能量：434μJ（开），466μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：203nC
- 25°C时Td（开/关）值：16ns/122ns
- 测试条件：600V，25A，4.3 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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