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Microsemi
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APT32F120J 图片
  • 制造厂商:美高森美
  • 类别封装:场效应管模块,ISOTOP
  • 技术参数:MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
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APT32F120J 技术参数详情:
  • Microsemi美高森美完整型号:APT32F120J
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):33A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):320 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):560nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):18200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:960W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • APT32F120J优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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