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Microsemi
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APT33GF120B2RDQ2G 图片
  • 制造厂商:美高森美
  • 类别封装:单路IGBT,原厂封装
  • 技术参数:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
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APT33GF120B2RDQ2G 技术参数详情:
  • Microsemi美高森美完整型号:APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):75A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:357W
  • Switching Energy:1.315μJ (开), 1.515μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:170nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/185ns
  • Test Condition:800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 封装/外壳:TO-247-3 变式
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:*
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