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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单路IGBT，原厂封装
- 技术参数：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
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APT33GF120B2RDQ2G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT33GF120B2RDQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：64A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：75A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值：357W
- Switching Energy：1.315μJ （开）， 1.515μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：170nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：14ns/185ns
- Test Condition：800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：*
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