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- 制造厂商:美高森美
- 类别封装:单路IGBT,TO-247
- 技术参数:IGBT 600V 65A 290W TO-247
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APT36GA60BD15 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APT36GA60BD15
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247
- 系列:POWER MOS 8?
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65A
- Current - Collector Pulsed (Icm):109A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,20A
- 功率 - 最大值:290W
- Switching Energy:307μJ (开), 254μJ (关)
- 输入类型:标准
- Gate Charge:18nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/122ns
- Test Condition:400V, 20A, 10 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 [B]
- APT36GA60BD15优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
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