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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单路IGBT，原厂封装
- 技术参数：IGBT 600V 150A 625W TMAX
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APT50GP60B2DQ2G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT50GP60B2DQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 150A 625W TMAX
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 类型：PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：190A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值：625W
- Switching Energy：465μJ （开）， 635μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：165nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：19ns/85ns
- Test Condition：400V, 50A, 4.3 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：*
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