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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：IGBT模块，ISOTOP
- 技术参数：IGBT 600V 100A 329W SOT227
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APT50GP60J 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT50GP60J
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 100A 329W SOT227
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 类型：PT
- 配置：单一
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A
- 功率 - 最大值：329W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：500μA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：5.7nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：无
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：ISOTOP
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