产品参考图片
- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单端场效应管，T-MAX
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
- 丰富的美高森美公司产品，美高森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
APT6010B2LLG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT6010B2LLG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
- 系列：POWER MOS 7
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：54A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 27A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6710pF @ 25V
- 功率 - 最大值：690W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 供应商器件封装：T-MAX [B2]
- APT6010B2LLG优势代理货源，国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Microsemi代理的现货资源，轻松采购IC芯片，是国内专业的芯片采购平台